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一种用氢还原五氯化钼膜的低化学气相沉积仪被开发。这种仪器可以使每组25片晶片薄膜厚度的均匀性在±5％以内,并且钼膜不被氧化。研究者发现,与常压下相比,在低压时,可在一个较高的温度下,钼的沉积速率受表面反应的制约,并与表面反应部分氢气分压的3/2成正比。
用低压化学气相沉积法形成钼膜
【摘 要】
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一种用氢还原五氯化钼膜的低化学气相沉积仪被开发。这种仪器可以使每组25片晶片薄膜厚度的均匀性在±5％以内,并且钼膜不被氧化。研究者发现,与常压下相比,在低压时,可在
【出 处】
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中国钼业
【发表日期】
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1993年6期
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