低温金属诱导横向晶化多晶硅材料和器件技术

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【摘要】

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使用金属镍诱导非晶硅晶化(MIC:metal-induced crystallization)技术,获得了低温(＜550℃)多晶硅.通常在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用,这一技术被称为金属诱导横向晶化(MILC:m

【作者】

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王文孟志国

【机构】

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香港科技大学电机电子工程系

【出处】

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电子学报

【发表日期】

：

2003年5期

【关键词】

：

镍金属诱导晶化多晶硅薄膜晶体管显示器低温电子技术 nickel metalinduced crystallization polycrystallin

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使用金属镍诱导非晶硅晶化(MIC:metal-induced crystallization)技术,获得了低温(＜550℃)多晶硅.通常在镍覆盖区以外的晶化硅更加有用,这一技术被称为金属诱导横向晶化(MILC:metal-induced lateral crystallization)技术.通过对结晶动力学过程和材料特性的研究,提出了可同时适用于镍覆盖区和相连非覆盖区金属诱导结晶的同一晶化机制.虽然MILC多晶硅的材料特性明显优于固相晶化多晶硅的材料特性,薄膜晶体管沟道中存在MIC/MILC 的界面所形成

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