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文中探测了硅靶在波长为1.064μm、脉宽10ns的脉冲激光辐照下等离子体时间分辨发射光谱,分析了电子温度、电子密度和连续谱的演化。利用能级寿命和连续谱最大强度的出现时间解释了NⅡ399.5nm、SiⅡ385.6nm和SiⅡ386.3nm谱线强度最大值的出现时间。NⅡ399.5nm谱线的寿命比Si II谱线的寿命要短得多,我们认为这和它们的产生过程有关。在1Pa的背景气压下能够探测到Si III和Si IV的光谱线,而在1.01×105Pa时却无法分辨。