【摘 要】
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作为一种新型的二维半导体材料,单层二硫化钼薄膜由于其优异的特性,在电子学与光电子学等众多领域具有潜在的应用价值.本文综述了我们课题组在过去几年中针对单层二硫化钼薄
【机 构】
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中国科学院物理研究所、北京凝聚态物理国家研究中心、中国科学院纳米物理与器件重点实验室,中国科学院大学物理科学学院,纳米材料与器件物理北京市重点实验室,量子物质科学协同创新中心
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:51572289,61734001);国家重点研发计划(批准号:2016YFA0300904);中国科学院前沿科学重点研究项目(批准号:QYZDB-SSW-SLH004),中国科学院先导(B)培育项目(批准号:XDPB06)资助的课题~~
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作为一种新型的二维半导体材料,单层二硫化钼薄膜由于其优异的特性,在电子学与光电子学等众多领域具有潜在的应用价值.本文综述了我们课题组在过去几年中针对单层二硫化钼薄膜的研究所取得的进展,具体包括：在二硫化钼薄膜的制备方面,通过氧辅助化学气相沉积方法,实现了大尺寸单层二硫化钼单晶的可控生长和晶圆级单层二硫化钼薄膜的高定向外延生长;在二硫化钼薄膜的加工方面,发展了单层二硫化钼薄膜的无损转移、洁净图案化加工、可控结构相变与局域相调控的方法,为场效应晶体管等电子学器件的制备与性能优化提供了基础;在二硫化钼异质结方面
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