与TTL相容的N沟MOS静态RAM

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MBM2147型是一种N沟MOS4096位静态随机存取存储器。它与工业标准2147系列相容,其输入电瓶和输出电瓶与TTL系列相容。该存储器仅需要一个5伏的单一直流电源。MBM2147H的最大存取时间是55毫微秒,MBM2147E最大存取时间为70毫微秒。这种存储器系列封装于一个18条引线的双列直播式管壳中,而且具有 The MBM2147 is an N-channel MOS 4096 bit static random access memory. It is compatible with the industry standard 2147 series and its input and output batteries are compatible with the TTL series. This memory requires only a single 5 volt DC power supply. MBM2147H maximum access time is 55 nanoseconds, MBM2147E maximum access time of 70 nanoseconds. This memory family is packaged in an 18-lead dual-in-line cartridge and has
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