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针对单片机的电磁兼容问题，采用了实验和仿真相结合的方式，研究了单片机的电磁抗扰度。首先利用DPI法测试单片机的电磁抗扰度，其次提出了一种基于DPI的单片机电磁抗扰度ICEM模型，利用IC—EMC仿真软件在不同的频率下对单片机的内核电压进行仿真，结果表明在低频段仿真结果和实验测试结果一致性较好，使用该模型可以对单片机的电磁抗扰度进行预测。