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我们利用0.18μm CMOS工艺设计了低噪声放大器。所有电感采用片上螺旋电感,全集成在单个芯片上,并实现片内50N匹配。本次电路设计分析采用ADS仿真软件,电源电压1V,工作电流8mA,增益为15.4dB,噪声系数2.7dB,线性度指标IIP3为-0·6dB·结论是CMOS工艺在工艺和模型方面的改进,使得CMOS RF电路设计更为精确,可集成度更高。