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本论文主要分析了Si3N4／SiO2叠层栅MOS电容总剂量效应，叠层栅MOS电容中SiO2为20nm，Si3N4厚度分别为40nm和110nm，通过辐照前后电容CV曲线的对比分析，发现CV曲线的正方向漂移主要是由于界面态电荷的作用，同时氧化物俘获电荷也起到一定的作用。同时也发现叠层栅中Si3N4越厚，将产生越多的界面态电荷和氧化物俘获电荷。