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目的 研究高压氧(HBO)暴露对体外培养的神经元中谷氨酸脱羧酶(GAD)的影响,为从细胞水平阐明急性氧中毒的发生机理提供依据.方法原代培养大鼠脑海马区的神经元,在不同体积的培养液中,经0.5 MPa HBO暴露不同的时程,用免疫荧光法检测神经元内GAD含量的变化.结果 0.5 MPa HBO暴露可使神经元内GAD含量显著降低;并且减少培养液体积,同时缩短暴露时程,与正常培养液体积时长时程暴露可以达到相同效果.结论 HBO暴露导致神经元内GAD减少,可能是急性氧中毒发生的重要原因之一;用体外实验方法研究氧中毒是完全可行的。