电子辐照对半导体器件反向击穿电压的影响

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虽然电子辐照会使P-N结中的自由载流子浓度减少,P-N结宽度增加,但其反向漏电流也随之增加,最终使P-N结反向击穿电压略有下降;对晶体管和晶闸管,由于辐照使其电流放大系数下降,最终其反向击穿电压却略有增加。
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