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采用电子束蒸发方法在２００℃的抛光ＡｌＮ陶瓷衬底上淀积厚度为２００ｎｍ的Ｔｉ膜，并在高真空中退火。利用二次离子质谱对样品进行了深度剖析，给出了Ｔｉ／ＡｌＮ界面组分分布随退火温度和时间的变化关系。在界面区发现了铝化物及其他反应产物。结合卢瑟福背散射谱，Ｘ射线衍射分析和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元相图推断，铝化物是Ｔｉ－Ａｌ二元和Ｔｉ－Ａｌ－Ｎ三元化合物。