微波肖特基势垒二极管硅化物工艺技术研究

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对微波肖特基中、低势垒二极管硅化物的工艺技术进行了研究。用Ni-Si硅化物作中势垒硅化物,用Ti-Si硅化物作低势垒硅化物。通过设计和工艺实验,得到温度、时间、真空度等取佳工艺技术条件。在保持微波肖特基二极管势垒特征的同时,提高了反向电压,增强了它的稳定性和可靠性。
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