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对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保持特性的影响,找出其间相互制约的数量关系,最后给出优化设计的参考值。
a-Si∶H TFT OLED驱动电路中存储电容对显示性能的影响
【摘 要】
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对OLED两管a-Si∶H有源驱动技术中存储电容对器件寿命的影响进行了详细的讨论;结合驱动管的宽长比,从理论分析和SPICE模拟两个方面研究了存储电容对电路充电率、跳变电压和保
【机 构】
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北京交通大学光电子技术研究所,京东方科技集团股份有限公司中央研究院,吉林大学计算机科学与技术学院
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2008年05期
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