硅钼杂多阴离子薄膜修饰电极线性扫描伏安法测定黑液中可溶性硅

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本文报导了以玻碳电极为基体的1:12硅钼杂多阴离子薄膜化学修铈电极的制备及其电化学特性。并应用于导数伏安法测定。在4.0×10 ̄(-3)m0l/L(NH_4)_6MO_7O_(24)-6.8×10 ̄(-2)mol/LNa_3Cit-0.48mol/LNHO_3体系中,硅浓度在8.3×10 ̄(-7)~1.7×10 ̄(-3)mol/L范围内与峰电流呈良好线性关系,检测限为8.0×10 ̄(-7)mol/L。对可溶性硅(以SiO_2计)为245.05mg/L的黑液,稀释10倍后,取2.00mL平行测定9次,RSD为0.58%,加标回收率在97.3%~104.4%间。 In this paper, the preparation and electrochemical characterization of a cerium-doped 1: 12 silico-molybdenum heteropolyanion thin film modified with a glassy carbon electrode was reported. And applied to the determination of derivative voltammetry. In the system of 4.0 × 10 ~ (-3) m0l / L (NH_4) _6MO_7O_ (24) -6.8 × 10 ~ (-2) mol / LNa_3Cit-0.48mol / LNHO_3, The linear range was 10 ~ (-7) ~ 1.7 × 10 ~ (-3) mol / L with peak current. The detection limit was 8.0 × 10 ~ (-7) mol / L. Soluble silica (calculated as SiO_2) was 245.05mg / L black liquor, diluted 10 times, taken 2.00mL parallel determination of 9 times, RSD 0.58%, the recovery was 97.3% to 104 .4% room.
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