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采用化学氧化法在浓硫酸与双氧水混合液中合成了Ｈ２ＳＯ４－ＧＩＣ，研究了插层工艺参数如双氧水浓度、双氧水与浓硫酸的配比以及水洗液的ｐＨ值、烘干温度、膨化温度等对膨胀容积和残余硫含量的影响，同时也对整个插层机理进行了探讨，得到了制造低硫膨胀石墨的合理工艺参数。
用H2O2—H2SO4合成低硫GIC的研究
【摘 要】
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采用化学氧化法在浓硫酸与双氧水混合液中合成了Ｈ２ＳＯ４－ＧＩＣ，研究了插层工艺参数如双氧水浓度、双氧水与浓硫酸的配比以及水洗液的ｐＨ值、烘干温度、膨化温度等对膨胀容积和残余硫含量的影响
【机 构】
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清华大学材料科学与工程系
【出 处】
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炭素技术
【发表日期】
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2000年2期
【基金项目】
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国学自然科学基金!项目(59872017)
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