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利用LiF空穴阻挡层提高有机发光二极管效率
利用LiF空穴阻挡层提高有机发光二极管效率
来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:niudaben
【摘 要】
:
通过引入LiF,明显提高了基于八羟基喹啉铝双层有机发光二极管的发光效率。2Din厚的LiF空穴阻挡层可将器件的发光效率从2.6cd/A提高到6.3cd/A,研究结果表明,LiF空穴阻挡层可以有效调
【作 者】
:
连加荣
袁永波
周翔
【机 构】
:
中山大学光电材料与技术国家重点实验室
【出 处】
:
电子器件
【发表日期】
:
2008年1期
【关键词】
:
LIF
空穴阻挡层
有机发光二极管
效率
OLEDs efficiency LiF interlayer
【基金项目】
:
广东省科技计划资助(2006A10801001),广东省自然科学基金资助项目(05003294)
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通过引入LiF,明显提高了基于八羟基喹啉铝双层有机发光二极管的发光效率。2Din厚的LiF空穴阻挡层可将器件的发光效率从2.6cd/A提高到6.3cd/A,研究结果表明,LiF空穴阻挡层可以有效调节空穴的注入与传输,平衡器件中的空穴与电子,提高有机发光二极管的发光效率。
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