论文部分内容阅读
采用多元胞组合法构建出钝化共掺杂TiO_2-B模型,并引入共掺杂原子N＋V和C＋Cr,对其进行第一性原理的密度泛函理论（density functional theory,DFT）分析。通过对Li^＋嵌入位点和迁移活化能的计算,确定了Li^＋低浓度下共掺杂模型中最稳定的嵌入位点,得出N＋V和C＋Cr共掺杂体系的迁移活化能分别为0.47,0.42eV;对Li^＋高浓度下嵌入电压进行计算,得出N＋V共掺杂嵌入电压为0.83～0.97V,比C＋Cr共掺杂的对应值1.05～1.27V小,因此N＋V共掺杂模型更适合