【摘 要】
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以HClO4为主要原料,采用化学氧化法制备HClO4型GIC,研究了HClO4-GIC在制备、储存及高温膨胀过程中的质量变化,并对其膨胀体积(VEG)和插层机理做了进一步探讨.结果表明:GIC在
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以HClO4为主要原料,采用化学氧化法制备HClO4型GIC,研究了HClO4-GIC在制备、储存及高温膨胀过程中的质量变化,并对其膨胀体积(VEG)和插层机理做了进一步探讨.结果表明:GIC在制备过程中质量增加,增重率分别为25.3％(30目)、24.3％(50目)、18.5％(80目)；储存过程中GIC质量随时间不断减少,且不同环境的质量损失量(Δm)不同,但最后质量趋于稳定,失重率分别为0.668％(25℃密封)、0.842％(25℃暴露)、1.225％(60℃暴露);由GIC到EG的高温膨胀过程中质量减少,热失重为26.6％(50目);相同膨胀温度下HClO4-GIC的VEG明显高于H2SO4/HNO3-GIC;插层过程中插层剂以中性分子或阴离子形式插入石墨碳层.
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