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硅片中氧的最佳浓度可改善其机械强度和本征吸除性能。
The optimal concentration of oxygen in the wafer improves its mechanical strength and intrinsic aspiration performance.
硅中氧对器件工艺的影响
【摘 要】
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硅片中氧的最佳浓度可改善其机械强度和本征吸除性能。
The optimal concentration of oxygen in the wafer improves its mechanical strength and intrinsic aspiration p
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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1988年03期
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