【摘 要】
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在分子束外延（MBE）设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC（0001）表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、激
【机 构】
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中国科学技术大学国家同步辐射实验室,淮北煤炭师范学院物理与电子信息学院,山东大学晶体材料国家重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金（50872128 50802053）资助项目~~
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在分子束外延（MBE）设备中,采用高温退火的方法在6H-SiC（0001）表面外延石墨烯,并研究了退火时间对外延石墨烯形貌和结构的影响.利用反射式高能电子衍射（RHEED）、原子力显微镜（AFM）、激光拉曼光谱（Raman）和近边X射线吸收精细结构（NEXAFS）等实验技术对制备的样品进行了表征.RHEED结果发现,不同退火时间的样品在SiC衍射条纹的外侧都出现了石墨烯的衍射条纹.AFM测试表明,外延石墨烯的厚度随退火时间增加而增大,且样品孔洞减少、表面更加平整.Raman测试表明,外延石墨烯拉曼谱中2D
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