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美国空军传感器部射频(RF)装置小组与佛罗里达大学合作，克服技术上的障碍，对高特性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在X频段下的门特性和损耗延迟开展创新性研究。研究发现，宽能带隙材料如氧化钪或氧化镁被作为钝化层置于射频HENT以后。可以明显地降低HEMT的门和损耗延迟，进而改进HEMT在大功率和高频条件下的使用性能。