载流子色散型硅基CMOS光子器件

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【摘要】

：

为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅

【作者】

：

赵勇江晓清杨建义王明华

【机构】

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浙江大学信息与电子工程学系

【出处】

：

光子学报

【发表日期】

：

2009年10期

【关键词】

：

集成光学硅基载流子色散效应 CMOS光子器件 Integrated optics Silicon-based Carrier dispersion ef

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为了实现硅基单片光电子集成器件的实用化,介绍了采用P-I-N、双极型场效应晶体管、金属氧化物半导体和PN结结构的载流子色散型硅基CMOS光子器件的发展状况和特点,并汇报了硅基CMOS光子器件的设计和制作方面的工作.利用商业的CMOS工艺线制作的器件获得了较好的结果,光调制器消光比约18dB,1×2光开关消光比约21dB,谐振环的消光比8～12dB.采用CMOS技术研制硅基光子器件,将能使集成光子学的发展上一个新的台阶.

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