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本文用染色体稳定性畸变分析方法对受不均匀电离辐射事故受照人员淋巴细胞做了CA(染色体畸变)和SCE(姊妹染色单体互换)检查。结果表明,受照者染色体畸变率、畸变细胞率、Cu和Cs畸变率均明显增高。其中有3例出现以Cs为特征的克隆细胞。受电子束照射者以Cs为主;受电磁辐射(χ或γ射线)以Cu为主。多畸变细胞率前者高于后者,染色单体畸变后者高于前者。SCE检查各组间均无明显差异。