【摘 要】
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采用分层溅射法在石英衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜.当Si膜的溅射时间均为25min、Mg膜的溅射时间为18～22 min、退火温度为375℃时,随着膜厚增加,Mg2Si薄膜的织构由(311)向(220)转变;退火温度为400℃时,薄膜的最强衍射峰均为Mg2Si(220).所有样品均在256 cm1附近出现了较强的拉曼散射特征峰,在347cm1附近出现了较弱的拉曼散射特征峰,这两个峰分别属于Mg2Si的F2g和F1u(LO)声子模.在石英衬底上,改变溅射条件和退火温度,可实现Mg2Si薄膜的晶向
【机 构】
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贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳,550001;贵州大学大数据与信息工程学院,贵阳,550025
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采用分层溅射法在石英衬底上制备了结晶良好的Mg2Si多晶薄膜.当Si膜的溅射时间均为25min、Mg膜的溅射时间为18～22 min、退火温度为375℃时,随着膜厚增加,Mg2Si薄膜的织构由(311)向(220)转变;退火温度为400℃时,薄膜的最强衍射峰均为Mg2Si(220).所有样品均在256 cm1附近出现了较强的拉曼散射特征峰,在347cm1附近出现了较弱的拉曼散射特征峰,这两个峰分别属于Mg2Si的F2g和F1u(LO)声子模.在石英衬底上,改变溅射条件和退火温度,可实现Mg2Si薄膜的晶向可控制备.
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从自洽求解二维泊松方程和薛定谔方程出发,编制出计算GaN HFET内不同栅、漏电压下沟道能带、电子气密度及量子电容的软件,研究场效应管的电荷控制和DIBL.在异质结沟道阱研究中,改变栅电压算出的电子气密度及量子电容同C-V实验测试结果相吻合,证明求解薛定谔方程是研究异质结场效应管电荷控制的有效方法.考虑外沟道渗透到内沟道的电场梯度以后,算出了场效应管的电子气密度及量子电容.场效应管模拟算得的量子电容同实验测得的栅-源和栅-漏电容相吻合.研究了不同栅、漏电压和电场梯度渗透下的内沟道能带,发现漏电压引起的电场
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