【摘 要】
：
设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负
【机 构】
：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院研究生院
论文部分内容阅读
设计了一种用于驱动电路和模数转换器的片上电流源,该结构利用带隙基准的方法产生了一个与温度无关的参考电平,同时为了满足高电源抑制的要求,电流源中采用了运算放大器的负反馈环路来抑制电源到输出的增益,从而使输出电平与电源电压无关,然后通过电阻把电压转化为电流。该电路在0.35μm、3.3V的工艺下实现,芯片面积为0.03mm2。仿真和测试结果表明,该电流源的温度系数为8.7×10-6/℃,在2.6～4V的电源电压下均能正常工作,达到了系统要求。
其他文献
现实生活中的"德福矛盾"要在制度的不完善、道德观念的转轨、公民意识的缺失以及媒体的负面引导等方面找原因。在理论上可以论证德福之间的关系是一致的,在实践上可以通过完
研制了一种微型光纤光谱仪,介绍了其基本原理及结构,用微型光纤光谱仪对汞灯特征谱线进行了实验测试,通过对测试结果的分析得到了该型光谱仪的主要性能参数。实验表明,该微型
对光电耦合器的结构设计进行了研究,分析了光耦器件的两种不同光传输结构,讨论了各自对应的支架结构和封装形式。同时研究了电流传输比(CTR)和绝缘电压(BV)随绝缘距离的影响
本文概述了低介电常数材料(LowkMaterials)的特点、分类及其在集成电路工艺中的应用。指出了应用低介电常数材料的必然性,最后举例说明了低介电常数材料依然是当前集成电路工
本文综述了金在硅中的异常扩散行为,重点分析了高浓度磷扩散区对金的吸收作用和SiO2,对金原子扩散的掩蔽作用.指出目前逻辑集成电路制造中广泛采用的金扩散程序,其扩金效果较
采用温度补偿技术设计了一种高性能的CMOS基准电流源电路,该电路采用N阱CMOS工艺实现。通过Cadence Spectres仿真和测试的结果表明,在-40-85℃的温度范围内,该电路输出基准电
国发[2016]54号 各省、自治区、直辖市人民政府,国务院各部委、各直属机构：近年来,我国企业杠杆率高企,债务规模增长过快,企业债务负担不断加重.在国际经济环境更趋复杂、我国
介绍了开尔文(Kelvin)四线连接方式测试电阻的原理,针对复杂电阻网络提出电阻隔离测 试技术。分析了采用全开尔文更精确测量极小电阻的方法,介绍了在特殊情况下使用分离开尔
通过实例分析,介绍了EDA技术中Multisim8.0软件平台在数字电路设计性实验中的具体应用及特点,阐明了E D A技术实验环境(仿真实验)与实际操作实验环境(实物实验)的优缺点,并提
有人说所有的艺术都是相通的,但也有人认为艺术与艺术之间有着巨大的鸿沟,不同的艺术就是完全不同的两种事物。从古到今这种争论一直都没有停止过,不过只要跳出这种争论,以包