【摘 要】
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采用磁控溅射的方法制备了Si3N4/FePd/Si3N4三层膜,研究了非磁性材料Si3N4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si3N4分布在FePd纳米颗粒之间,
【机 构】
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桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林电子科技大学广西信息材料重点实验室
【基金项目】
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广西自然科学基金(2016GXNSFAA380030,2016GXNSFGA380001);国家自然科学基金(51461012);桂林电子科技大学研究生教育创新计划资助项目(2018YJCX84);优秀学位论文培养项目(16YJPYSS32)~~
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采用磁控溅射的方法制备了Si3N4/FePd/Si3N4三层膜,研究了非磁性材料Si3N4作为插入层对磁记录FePd薄膜结构与磁性能的影响。结果表明,热处理后Si3N4分布在FePd纳米颗粒之间,抑制了FePd晶粒的生长,与纯FePd薄膜相比,Si3N4/FePd/Si3N4薄膜的颗粒明显得到细化;通过添加Si3N4层,FePd薄膜的晶体学参数c/a从0.960减小到0.946,表明Si3N4可以有效促进FePd薄膜的有序化进程,同时提升了矫顽力和剩磁比,分别提高到249 kA/m、0.86;随着600℃退火时间的进一步延长,添加Si3N4的薄膜磁性没有迅速下降,在较宽的热处理时间范围内磁性能保持在比较高的水平,提高了抗热影响的能力。Si3N4作为插入层对FePd薄膜的磁性能具有较大的提升作用,这对磁记录薄膜的发展具有重要意义。
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