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采用化学气相沉积方法，在整个SiO2(300nm)/Si衬底上制备出了大面积、高质量的单层及多层ReS2纳米带，纳米带的长度可达150μm。利用光镜、原子力显微镜（AFM）、荧光（PL），拉曼（Raman）以及X射线光电子能谱分析(XPS)等手段对所得不同层数的ReS2样品进行了表征。结果表明：所制备的ReS2纳米带的拉曼信号与化学气相沉积方法制备的（CVD）单层及多层的薄膜材料差别不大，而其荧光峰出现了明显的展宽，且峰位出现了明显的蓝移。化学气相沉积法（CVD）制备ReS2纳米带操作简单，可控性与可重复