论文部分内容阅读
文章针对光电耦合器在空间辐射应用中的位移损伤效应,选取了一种典型的光电耦合器4n25进行了1mev高能电子辐照试验,获得了辐照后器件电流传输比参数(ctr)的退化与电子注量的关系:在试验注量范围(1.3×1012～1.5×1013cm-2)内,nctr与电子通量成反比.通过位移损伤对器件及材料作用过程的分析,探讨了光电耦合器位移损伤效应作用机理.