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为了减少微处理器内部集成的用于模拟非易失性RAM数据区域的Flash擦除次数，提升存储数据访问效率和延长器件使用寿命，以R5F104BC单片机为例，提出了三种存储方法，给出具体的实现算法和软件实现过程，在访问速度与实现代码大小之间实现平衡。在实际应用中，编程人员可以根据具体情况，很方便和快捷地将本方法移植到其他的内部集成了Flash的微处理器上。