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利用离子束溅射法在硅基底上制备高纯Be薄膜并实现Cu元素的可控掺杂,利用X射线能谱、扫描电镜、X射线衍射以及透射电镜等对Cu掺杂Be薄膜进行表征分析。研究结果表明：Cu元素在Be膜内分布均一,且Cu掺杂量对Be薄膜的微观结构有显著影响。Cu掺杂能抑制Be晶粒生长,Be晶粒随着薄膜中Cu含量的增多而减小,并且尺寸分布更加均匀;Cu掺杂影响Be晶粒的生长取向,使其形成更为紧凑的薄膜结构。这些因素使得掺杂Cu的Be薄膜的表面粗糙度明显降低。