【摘 要】
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我所研制的曝光面积φ75毫米的 GK—6型远紫外曝光机,经过在航天工业部第23研究所一段时间工艺考核后,已于1984年底顺利通过鉴定。该机采用了均匀性较高的远紫外曝光系统,在
【机 构】
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电子工业部第45研究所,电子工业部第45研究所,
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我所研制的曝光面积φ75毫米的 GK—6型远紫外曝光机,经过在航天工业部第23研究所一段时间工艺考核后,已于1984年底顺利通过鉴定。该机采用了均匀性较高的远紫外曝光系统,在接触曝光面积φ75毫米范围内,可以分辨的最细线条为0.6μ,实用光刻线条可以达到1μ。
I developed by the exposure area of φ75 mm GK-6 type far UV exposure machine, after the 23rd Institute of Aerospace Industry for a period of time after the assessment of technology, has passed the end of 1984 passed the appraisal. The machine uses a high uniformity of the far UV exposure system, contact exposure area in the range of φ75 mm, you can distinguish the smallest line 0.6μ, practical lithography lines can reach 1μ.
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