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通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器老化实验观测，在老化初期（前520h)，阈值电流随老化时间的延长而下降，下降幅度高达57mA，通过大于1000h的恒流电老化，器件的输出光功率在老化初期有所上升，随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。