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本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响；SY析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同。得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下，在线圈匝数已固定的条件下，通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率，缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论。