【摘 要】
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探讨了氧气等离子处理法对基于ZrAlO薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化。ZrAlO薄膜用射频磁控溅射法制得，之后在不改变真空条件的情况下进行ZrAlO薄膜的氧气等离子处理
【机 构】
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集美大学信息工程学院,浙江大学信息与电子工程系
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探讨了氧气等离子处理法对基于ZrAlO薄膜的MIM结构电容电学性能的低温工艺优化。ZrAlO薄膜用射频磁控溅射法制得，之后在不改变真空条件的情况下进行ZrAlO薄膜的氧气等离子处理。氧空位是影响薄膜电容性能的主要因素，通过改变氧气流量和等离子功率等处理条件可以影响氧空位的分布状态。通过分析受氧空位影响的电容电学性能，最终确定的等离子处理工艺可以使薄膜漏电流降低三个数量级以上，同时非线性电压系数减小约60%。
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