离子化技术保障半导体元器件的生产

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与半导体元器件打交道时始终存在着因ESD静电放电而损坏半导体元器件的风险。实践表明这并不是孤立的个案。据有关专家估计,大约1/4的半导体元器件损毁的原因都是ESD静电放电,而静电放电总是在同一地方发生。因为这样的损毁是一种系统性事件,因此受静电放电影响的常常是若干个元器件,半导体元器件的高灵敏度是造成这种恶果的主要原因。
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ue*M#’#dkB4##8#”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:(100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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