【摘 要】
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采用直流电弧等离子喷射(DCarc plasma jet)CVD(chemical vapour deposition)工艺制成的金刚石薄膜,研制成功MSM(metal-semiconductor-metal)型CVD金刚石脉冲辐射探测器.对制
【机 构】
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清华大学工程物理系; 西北核技术研究所; 北京科技大学功能材料研究所; 北京科技大学功能材料研究所 北京100084; 北京100084; 西安710
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采用直流电弧等离子喷射(DCarc plasma jet)CVD(chemical vapour deposition)工艺制成的金刚石薄膜,研制成功MSM(metal-semiconductor-metal)型CVD金刚石脉冲辐射探测器.对制作的金刚石薄膜材料及探测器有关性能进行了测量,结果表明,采用Raman shift<4.5cm-1的金刚石薄膜制成的探测器,可满足亚纳秒脉冲辐射探测的要求.由于其独特的物理性能,在制作成本合理的情况下,在脉冲辐射测量中可取代Si-PIN探测器.
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