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CMOS IC失效机理与老炼频率的关系探讨
CMOS IC失效机理与老炼频率的关系探讨
来源 :电子产品可靠性与环境试验 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bueryuyu33
【摘 要】
:
从老炼试验的原理、CMOS IC的失效机理和功耗等几个方面对CMOS IC的失效机理与老炼频率的关系进行了探讨。通过分析发现,动态老炼的效果与频率的高低的关系不大。希望此结果
【作 者】
:
李兴鸿
赵俊萍
【机 构】
:
北京微电子技术研究所
【出 处】
:
电子产品可靠性与环境试验
【发表日期】
:
2016年5期
【关键词】
:
集成电路
老炼
失效机理
频率
IC
burn-in
failure mechanism
frequency
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从老炼试验的原理、CMOS IC的失效机理和功耗等几个方面对CMOS IC的失效机理与老炼频率的关系进行了探讨。通过分析发现,动态老炼的效果与频率的高低的关系不大。希望此结果对老炼方案的编制和老炼试验的实施起到一定的参考作用。
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