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透射概率和概率流密度随量子环增大都会发生振荡。δ势垒增强会使概率流密度在下臂中单调增,在上臂中单调减。AB磁通增强时,透射概率和概率流密度都会发生振荡。在一定条件下,上臂左右段概率流密度之间存在对称性。
三终端量子环的透射概率和概率流密度
【摘 要】
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透射概率和概率流密度随量子环增大都会发生振荡。δ势垒增强会使概率流密度在下臂中单调增,在上臂中单调减。AB磁通增强时,透射概率和概率流密度都会发生振荡。在一定条件下
【机 构】
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河北民族师范学院物理系,河北师范大学物理科学与信息工程学院,石家庄环境监测中心
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2010年4期
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