【摘 要】
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采用大功率脉冲磁控溅射(HiPIMS),在不同频率(162～637 Hz)和脉冲时间(60～322μs)条件下,将氮化钛薄膜沉积在硅基体上.采用响应面法研究频率和脉冲时间对电流波形、晶体取向、显
【机 构】
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Laser and Plasma Research Institute, Shahid Beheshti University, Evin 1983963113, Tehran, Iran
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采用大功率脉冲磁控溅射(HiPIMS),在不同频率(162～637 Hz)和脉冲时间(60～322μs)条件下,将氮化钛薄膜沉积在硅基体上.采用响应面法研究频率和脉冲时间对电流波形、晶体取向、显微组织的协同影响,特别是对恒定时间、平均功率为250 W条件下氮化钛沉积速率的影响.分别用XRD和FESEM对沉积薄膜的晶体结构和形貌进行分析.结果表明,样品的沉积速率与脉冲时间和脉冲频率有很大的关系,沉积速率在4.5～14.5 nm/min之间变化.回归方程和方差分析显示,当频率为537 Hz、脉冲时间为212μs时,沉积速率最大为(17±0.8)nm/min,实验测量所得此条件下的沉积速率为16.7 nm/min,与预测值吻合较好.
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