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硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成,其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺.文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取,设计了一种方案并进行了实验验证,得出所设计的压力传感器精度达到0.1%-0.25%F.S.
一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计
【摘 要】
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硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成,其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺.文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取
【机 构】
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淮北师范大学物理与电子信息学院
【出 处】
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吉林师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年1期
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