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通过测量外加电压下电光晶体的相位延迟来获取半波电压．基于双折射晶体劈的偏光干涉法，将通过电光晶体后的偏振光相位延迟量转化为干涉条纹的平移，通过定位暗纹位置进行精密的线性测量．实验结果表明：偏光干涉法测量铌酸锂晶体相位延迟的测量准确度为4．4×10-3rad，所测量铌酸锂晶体的半波电压为480．0V，其测量误差为0．10％，远小于极值法0．96％的测量误差．偏光干涉法光路结构简单、测量准确度高、测量结果不受光功率波动的影响，且电光晶体相位延迟量的测量范围不受限制．