【摘 要】
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低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值.采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相
【机 构】
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沈阳理工大学理学院,沈阳110159;东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳110819;东北大学材料科学与工程学院,沈阳110819
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低维硅锗材料是制备纳米电子器件的重要候选材料,是研发高效率、低能耗和超高速新一代纳米电子器件的基础材料之一,有着潜在的应用价值.采用密度泛函紧束缚方法分别对厚度相同、宽度在0.272 nm～0.554 nm之间的硅纳米线和宽度在0.283 nm～0.567 nm之间的锗纳米线的原子排布和电荷分布进行了计算研究.硅、锗纳米线宽度的改变使原子排布,纳米线的原子间键长和键角发生明显改变.纳米线表层结构的改变对各层内的电荷分布产生重要影响.纳米线中各原子的电荷转移量与该原子在表层内的位置相关.纳米线的尺寸和表层内原子排列结构对体系的稳定性产生重要影响.
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