温度、惰性填料对先驱体硅树脂高温连接 Cf/SiC陶瓷基复合材料的影响

来源 :稀有金属材料与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：champhorse

【摘要】

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对先驱体硅树脂高温(800℃～1 400℃)转化陶瓷结合层连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、裂解温度及惰性填料对连接性能的影响进行了探讨

【作者】

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所俊陈朝辉韩卫敏郑文伟

【机构】

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国防科技大学CFC国防科技重点实验室

【出处】

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稀有金属材料与工程

【发表日期】

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2005年z1期

【关键词】

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先驱体硅树脂连接惰性填料剪切强度

【基金项目】

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湖南省自然科学基金资助(04JJY3002)

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对先驱体硅树脂高温(800℃～1 400℃)转化陶瓷结合层连接石墨、陶瓷SiC及Cf/SiC复合材料进行了研究,着重对硅树脂固化裂解过程、裂解温度及惰性填料对连接性能的影响进行了探讨.结果表明,硅树脂的交联固化主要是通过消耗Si-OH来完成.对于石墨、SiC的连接,1200℃是较佳的处理温度,而对于Cf/SiC则最佳的处理温度为1 400℃.加入5%惰性填料SiC可以提高硅树脂对Cf/SiC复合材料的连接性能.

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