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本文报道了以卤素钨灯为辐射源的快速热工艺(RTP)系统中的氮-硅直接热反应并和在常规电阻丝加热氧化炉中的氮-硅反应作了比较。并研究了RTP系统中氮-硅反应生成的超薄含氮表面层对氧化的抑制效应。实验结果表明,含氮表面层的生成以及对氧化的抑制效应和硅片初始氧化层厚度、氮-硅反应时的条件有关。
快速热工艺系统中的氮—硅反应
【摘 要】
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本文报道了以卤素钨灯为辐射源的快速热工艺(RTP)系统中的氮-硅直接热反应并和在常规电阻丝加热氧化炉中的氮-硅反应作了比较。并研究了RTP系统中氮-硅反应生成的超薄含氮表
【机 构】
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复旦大学电子工程系,美科罗拉多大学电视系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1989年2期
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