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研究了超宽谱脉冲电场产生装置的馈电结构，分析了小同结构参数下馈电点不连续性及其时域响应特性，测试得到了馈电捅针在小同插入深度下装置的阻抗匹配特性，结合理论计算和时域有限差分法获取了小同参数下的馈电点处脉冲响应特性，并与实测数据进行了比对。结果表明，当控制馈电结构插针深度为1.0mm时，其对脉宽0．3～1．5ns范围内单双极激励脉冲电压反射系数不大于4％。利用D-dot传感器测试了单锥内场脉冲电场波形，结果垃示，在单锥TEM室有效时间窗口内，脉冲激励波形与脉冲场测试波形基本一致。