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用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５０ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的６７０ｎｍ与６５０ｎｍ半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为３５ｍＡ，额定输出光功率不小于５ｍＷ，标称工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１０００００小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实用要求。