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为了解氧化铌的表面化学，发展了不同种金属单晶底物定向生长氧化物薄膜技术以克服电子能谱研究氧化铌表面的实验困难．在超高真空系统中用ＨＲＥＥＬＳ，ＵＰＳ研究了ＣＨ３ＯＨ和Ｃ２Ｈ４在氧化铌模型表面的吸附．结果表明，ＣＨ３ＯＨ和Ｃ２Ｈ４在有序表面和缺陷表面的吸附行为表现出很大的不同，氧空穴对吸附有重要影响．