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以绝缘层上硅膜的激光诱导再结晶(SOI)作为三维集成电路的潜在材料在技术上是有意义的。三维集成电路是基于如下的现实，即目前的二维集成电路作为一种生产手段不久将达到其极限。
具有散热结构的SiO
【摘 要】
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以绝缘层上硅膜的激光诱导再结晶(SOI)作为三维集成电路的潜在材料在技术上是有意义的。三维集成电路是基于如下的现实，即目前的二维集成电路作为一种生产手段不久将达到其极限。
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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1985年22期
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