六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻模型

来源 :辽宁大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：lovedan_33

【摘要】

：

介绍了六角形单胞功率VDMOSFET特征导通电阻的数学模型,计算了不同漏源击穿电压下,各种电阻分量在特征导通电阻中所占的比例,分析了阻值随电压变化的原因.

【作者】

：

高嵩石广源王中文

【机构】

：

辽宁大学

【出处】

：

辽宁大学学报(自然科学版)

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

六角形单胞功率VDMOSFET 特征导通电阻数学模型击穿电压功率损耗 regular hexagonal cell power VDMOSFET spe

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