一种带有斜向扩展源的双栅隧穿场效应晶体管

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liuchun9876

【摘要】

：

设计并研究了一种带有轻掺杂漏(LDD)和斜向扩展源(OES)的双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET),并利用Sentaurus TCAD仿真工具对栅长及扩展源长度等关键参数进行了仿真分析.对比了该器件与传统TFET的亚阈值摆幅、关态电流和开关电流比,并从器件的带带隧穿概率分析其优势.仿真结果表明,该器件的最佳数值开关电流比及亚阈值摆幅分别可达3.56×1012和24.5 mV/dec.另外,该DG-TFET在双极性电流和接触电阻方面性能良好,且具有较快的转换速率和较低的功耗.

【作者】

：

熊承诚孙亚宾石艳玲

【机构】

：

华东师范大学通信与电子工程学院,上海 200241

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2022年2期

【关键词】

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带带隧穿(BTBT) 双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET) 扩展源(ES) 开关电流比亚阈值摆幅(SS)

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